شفقنا آینده- در یک نقطه عطف بالقوه برای میکروالکترونیک، دانشمندان در توکیو یک ترانزیستور جدید قدرتمند ساخته‌اند که سیلیکون را به نفع یک ماده کریستالی به نام اکسید ایندیم آلاییده با گالیوم کنار می‌گذارد.
به گزارش شفقنا از تک دیلی، این دستگاه کوچک که با طراحی دروازه همه جانبه – که در آن دروازه کنترل ترانزیستور کاملاً در اطراف کانال فعلی می‌پیچد – مهندسی شده است، به تحرک الکترونی قابل توجه و پایداری طولانی مدت دست می‌یابد. نتیجه؟ یک ترانزیستور پیشرفته که می‌تواند عملکرد را در هوش مصنوعی و کاربردهای کلان داده به طور چشمگیری افزایش دهد و قانون مور را در دنیای پس از سیلیکون زنده نگه دارد.
بحران مقیاس‌بندی ترانزیستور
ترانزیستورها اغلب به عنوان یکی از بزرگترین اختراعات قرن بیستم شناخته می‌شوند. آنها برای الکترونیک مدرن ضروری هستند و به عنوان سوئیچ‌های کوچکی عمل می‌کنند که سیگنال‌های الکتریکی را کنترل و تقویت می‌کنند. اما با کوچک‌تر و سریع‌تر شدن دستگاه‌های ما، ترانزیستورهای سنتی مبتنی بر سیلیکون برای ادامه‌ی کار با مشکل مواجه هستند. آیا ما به محدودیت‌های کوچک و قدرتمند شدن الکترونیک خود نزدیک می‌شویم؟
تیمی از محققان در موسسه علوم صنعتی دانشگاه توکیو معتقد است که مسیر بهتری برای پیشرفت وجود دارد. آنها به جای تکیه بر سیلیکون، نوع جدیدی از ترانزیستور را با استفاده از ماده‌ای به نام اکسید ایندیم آلاییده شده با گالیوم یا InGaOx ساختند. این ماده‌ی ویژه می‌تواند یک ساختار کریستالی بسیار منظم تشکیل دهد که به الکترون‌ها کمک می‌کند تا با کارایی بیشتری حرکت کنند – چیزی که برای عملکرد بسیار مهم است.
آنلان چن، نویسنده‌ی اصلی این مطالعه، توضیح می‌دهد: «ما همچنین می‌خواستیم ترانزیستور اکسید کریستالی ما دارای یک ساختار «گیت همه‌جانبه» باشد، به این ترتیب گیت، که جریان را روشن یا خاموش می‌کند، کانالی را که جریان در آن جریان دارد، احاطه می‌کند. با پیچیدن کامل گیت به دور کانال، می‌توانیم کارایی و مقیاس‌پذیری را در مقایسه با گیت‌های سنتی افزایش دهیم.»
منبع: تک دیلی
source